MOSFET, FDN340P, P-Canal, 2 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 PowerTrench Simple Si

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Certificado de conformidad RoHS
Datos del Producto

MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenaje 2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V
Tipo de Encapsulado SOT-23
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 70 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima 0.4V
Disipación de Potencia Máxima 500 mW
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -8 V, +8 V
Número de Elementos por Chip 1
Material del transistor Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs 7,2 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Longitud 2.92mm
Altura 0.94mm
Serie PowerTrench
Ancho 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
190 Entrega en 24 horas
20 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,418
(exc. IVA)
0,506
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Pack*
5 - 45
0,418 €
2,09 €
50 - 145
0,396 €
1,98 €
150 - 745
0,334 €
1,67 €
750 - 1495
0,314 €
1,57 €
1500 +
0,292 €
1,46 €
*precio indicativo
Opciones de empaquetado: