MOSFET Infineon IRL6342PBF, VDSS 30 V, ID 9,9 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

Código RS:: 760-4413
Nº ref. fabric.:: IRL6342PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRL6342PBF, VDSS 30 V, ID 9,9 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

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Código RS:: 760-4413
Nº ref. fabric.:: IRL6342PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,9 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRL6342TRPBF

Este MOSFET de canal N ofrece un sólido rendimiento para una amplia gama de aplicaciones electrónicas, capaz de una corriente de drenaje continua de hasta 9,9 A y una tensión de drenaje-fuente de 30 V. Funciona en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que la hace adecuada tanto para entornos generales como de alto rendimiento.

Características y ventajas

• Utiliza la tecnología HEXFET para mejorar la eficiencia
• Baja resistencia a la conexión para reducir las pérdidas de potencia
• Diseño de montaje en superficie para una instalación sencilla
• El funcionamiento a alta temperatura mejora la fiabilidad en diversas tareas
• Cumple la directiva RoHS para aplicaciones respetuosas con el medio ambiente
• Admite funcionamiento en modo de mejora para un control preciso

Aplicaciones

• Adecuado para circuitos de alimentación
• Aplicable en sistemas de control de motores
• Eficaz en la gestión de baterías
• Ideal para diversas potencias de conmutación

¿Cuál es la potencia máxima del aparato?

El dispositivo admite una tensión de drenaje a fuente máxima de 30 V y una tensión de puerta a fuente de ±12 V.

¿Cómo se comporta en entornos de altas temperaturas?

Funciona eficazmente en un rango de -55°C a +150°C, por lo que se adapta a diversas aplicaciones.

¿Es compatible con los diseños estándar de placas de circuito impreso?

Sí, el diseño de montaje en superficie facilita la integración en diseños de PCB estándar.

¿Cuál es la ventaja de utilizar un MOSFET de baja resistencia?

Una baja resistencia a la conexión de hasta 19 mΩ minimiza la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia global.

¿Cómo me aseguro de que la instalación es correcta?

Siga las técnicas estándar de montaje en superficie, garantizando una alineación y soldadura correctas para evitar problemas de rendimiento.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	19 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.5V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	11 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm