MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3132
Nº ref. fabric.:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 812-3132
Nº ref. fabric.:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	42 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	2,1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,4 nC a 10 V
Ancho	1.4mm
Material del transistor	Si
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 812-3132
Nº ref. fabric.:: SI2366DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

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