MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (En un Tubo de 50)

0,798 €

(exc. IVA)

0,966 €

(inc.IVA)

Transistores MOSFET, Toshiba

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-220SIS
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	35 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.5mm
Material del transistor	Si
Longitud	10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	46 nC a 10 V
Serie	TK
Altura	15mm