MOSFET Microchip DN3765K4-G, VDSS 650 V, ID 300 mA, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 829-3360
Nº ref. fabric.:: DN3765K4-G
Fabricante:: Microchip

MOSFET Microchip DN3765K4-G, VDSS 650 V, ID 300 mA, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 829-3360
Nº ref. fabric.:: DN3765K4-G
Fabricante:: Microchip

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex

La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Características

Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Aplicaciones típicas

Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones

Transistores MOSFET, Microchip

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	6.2mm
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 829-3360
Nº ref. fabric.:: DN3765K4-G
Fabricante:: Microchip