MOSFET Microchip VP2106N3-G, VDSS 60 V, ID 250 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 879-3283P
Nº ref. fabric.:: VP2106N3-G
Fabricante:: Microchip

MOSFET Microchip VP2106N3-G, VDSS 60 V, ID 250 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

2150 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio Unidad (suministrado en bolsa)

0,454 €

(exc. IVA)

0,549 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
100 +	0,454 €

Código RS:: 879-3283P
Nº ref. fabric.:: VP2106N3-G
Fabricante:: Microchip

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex

La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Transistores MOSFET, Microchip

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	250 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-92
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.06mm
Longitud	5.08mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	2V
Altura	5.33mm

Código RS:: 879-3283P
Nº ref. fabric.:: VP2106N3-G
Fabricante:: Microchip