- Código RS:
- 919-4772
- Nº ref. fabric.:
- IRF4905PBF
- Fabricante:
- Infineon
50 Disponible para entrega en 24/48 horas
150 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,902 €
(exc. IVA)
2,301 €
(inc.IVA)
unidades | Por unidad | Por Tubo* |
50 - 50 | 1,902 € | 95,10 € |
100 - 200 | 1,807 € | 90,35 € |
250 - 450 | 1,731 € | 86,55 € |
500 - 950 | 1,617 € | 80,85 € |
1000 + | 1,522 € | 76,10 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 919-4772
- Nº ref. fabric.:
- IRF4905PBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 74 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 20 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 200 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 180 nC a 10 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Material del transistor | Si |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Serie | HEXFET |
Altura | 8.77mm |
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