Transistor Darlington, MJD122T4G, NPN 8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

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Los números de referencia del fabricante con prefijo S o NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente Máxima Continua del Colector	8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	100 V
Tensión Máxima Emisor-Base	5 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Configuración de transistor	Simple
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia Mínima de Corriente DC	100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor	4,5 V
Tensión Base Máxima del Colector	100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector	0.01mA
Ancho	6.22mm
Dimensiones	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Altura	2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.73mm