MOSFET, CSD19535KCS, N-Canal-Canal, 187 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 NexFET Simple Si

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Certificado de conformidad RoHS
COO (País de Origen): MY
Datos del Producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 187 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Tipo de Encapsulado TO-220
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 4,4 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2.2V
Disipación de Potencia Máxima 300 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip 1
Altura 16.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 78 nC a 10 V
Serie NexFET
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Material del transistor Si
Ancho 4.7mm
Longitud 10.67mm
Producto Descatalogado