Chip DDR SDRAM W94AD6KBHX5I/TRAY, 1Gbit, DDR, Montaje superficial, VFBGA, 60 pines DDR

Esta es una SDRAM DDR de baja potencia de 1 GB organizada como 16M palabras x 4 bancos x 16 bits

Fuente de alimentación VDD = 1,7 V∼1,95 V、VDDQ = 1,7 V∼1,95 V
Ancho de datos: x16
Tipo ráfaga: Secuencial o entrelazado、Velocidad de reloj: 166 MHz, 200 MHz
Modo de actualización automática estándar
PASR、ATCSR、modo de desconexión、DPD
Resistencia de controlador de búfer de salida programable
Cuatro bancos internos para funcionamiento simultáneo
Latencia CAS: 2 y 3
Longitud de ráfaga: 2、4 、8 y 16
Rango de temperaturas de funcionamiento: Extendida (-25 °C ∼ 85 °C), Industrial (-40 °C ∼ 85 °C)
La señal intermitente de datos (DQS) bidireccional se transmite o recibe con datos, para utilizar en la captura de datos en el receptor