Transistor bipolar de RF, BFP640ESDH6327XTSA1, NPN 50 mA 4,1 V SOT-343, 4 pines, 45 GHz, Simple
- Código RS:
- 145-8845
- Nº ref. fabric.:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 145-8845
- Nº ref. fabric.:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Transistores bipolares SiGe RF, Infineon
Una gama de transistores de RF bipolares NPN de banda ancha y ruido muy bajo de Infineon. Estos dispositivos bipolares de heteroestructura utilizan la tecnología de material de carbono de silicio-germanio (SiGe:C) de Infineon y son especialmente adecuados para utilizar en aplicaciones móviles en las que el bajo consumo de potencia es un requisito clave. Con frecuencias de transición típicas de hasta 65 GHz, estos dispositivos ofrecen una alta ganancia de potencia en frecuencias de hasta 10 GHz cuando se utilizan en aplicaciones de amplificador. Los transistores incluyen circuitos internos para protección contra ESD y protección de potencia de entrada de RF excesiva.
Transistores bipolares, Infineon
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 50 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 4,1 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-343 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 200 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 4,8 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 0,5 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 45 GHz |
| Conteo de Pines | 4 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Dimensiones | 2 x 1.25 x 0.9mm |
- Código RS:
- 145-8845
- Nº ref. fabric.:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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