Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 4Mbit, 256 K x 16, 100MHZ, FBGA-48, VCC máx. 3,6 V
- Código RS:
- 827-2607
- Nº ref. fabric.:
- CY7C1041DV33-10BVI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 827-2607
- Nº ref. fabric.:
- CY7C1041DV33-10BVI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- PH
Datos del Producto
Memoria RAM estática asíncrona, Cypress Semiconductor
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
| Organización | 256 K x 16 |
| Número de Palabras | 256K |
| Número de Bits de Palabra | 16bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 10ns |
| Ancho del Bus de Direcciones | 18bit |
| Frecuencia de Reloj | 100MHZ |
| Baja Potencia | Sí |
| Tipo de Temporizador | Asíncrono |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | FBGA |
| Conteo de Pines | 48 |
| Dimensiones | 8 x 6 x 0.21mm |
| Altura | 0.21mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Ancho | 6mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Longitud | 8mm |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 3 V |
- Código RS:
- 827-2607
- Nº ref. fabric.:
- CY7C1041DV33-10BVI
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor