Transistor MOSFET STMicroelectronics STP60N55F3, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines

Producto Descatalogado

Documentación Técnica

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	110000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33,5 nC a 10 V
Longitud	10.4mm
Altura	9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Serie	STripFET F3