Optoacopladores y Fotodetectores

Interruptor óptico ranurado Omron

Unidad de Amplificador para Fotodetector OSI Optoelectronics UDT, IR, λ sensibilidad máx. 970nm, mont. pasante,

Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines

Sensor Óptico Reflectante Optek de 1 canal, config.salida Colector abierto, de 3 pines

Unidad de Amplificador para Fotodetector Texas Instruments OPT301, IR + UV, λ sensibilidad máx. 650nm, mont. pasante,

Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAs, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-46 de 3 pines

Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAs, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-46 de 3 pines

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 2 pines

Sensor Óptico Reflectante Sharp, mont. roscado, de 3 pines

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics Photovaltic, luz visible, λ sensibilidad máx. 410nm, mont. pasante,

Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines

Sensor Óptico Reflectante Sharp

Sensor Óptico Reflectante Sharp

Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 740 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, 5 mm

Fotodiodo de silicio Hamamatsu, luz visible, λ sensibilidad máx. 800nm, encapsulado PCB

Aislador digital NVE de 2 canales, Vf 7V, Viso 2,5 kVrms

Interruptor óptico ranurado Omron EE-SX47/67, ranura de 5mm

Fototransistor Vishay sensible a la luz visible

Fotodiodo de silicioHamamatsu S1223, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 960nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 2

Sensor Óptico Reflectante Sharp