JFET

"JFET
Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.
¿Qué significa JFET?
JFET significa transistor de efecto de campo de unión
Construcción de JFET de canal N
El nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Construcción de JFET de canal P
El nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Características y ventajas
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo controlado por tensión
• Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida
• Menos ruido
¿Cómo se conocen también?
JUGFET
¿Para qué se utilizan los transistores JFET?
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.
¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)?
La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
¿Qué es el dopaje de semiconductores?
El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descripción Precio Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 806-1750
Nº ref. fabric.J109
FabricanteON Semiconductor
0,284 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
N Min. 40mA - -25 V 25V Único Simple 12 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 85pF 85pF 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Código RS 166-2021
Nº ref. fabric.J109
FabricanteON Semiconductor
0,133 €
unitario (En una bolsa de 1000)
unidades
N Min. 40mA - -25 V 25V Único Simple 12 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 85pF 85pF 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Código RS 761-3684
Nº ref. fabric.MMBFJ112
FabricanteON Semiconductor
0,284 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
N Min. 5mA - -35 V 35V Único Simple Ω50 Montaje superficial SOT-23 3 28pF 28pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 163-2023
Nº ref. fabric.2SK932-22-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,158 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 7.3 → 12mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 806-4267
Nº ref. fabric.MMBF4391
FabricanteON Semiconductor
0,255 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 50 → 150mA 0,4 V -30 V 30V Único Simple 30 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 169-7867
Nº ref. fabric.DSK5J01P0L
FabricantePanasonic
0,16 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 1 → 3mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 166-3083
Nº ref. fabric.MMBF4391
FabricanteON Semiconductor
0,078 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 50 → 150mA 0,4 V -30 V 30V Único Simple 30 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 749-8274
Nº ref. fabric.DSK9J01P0L
FabricantePanasonic
0,35 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
unidades
N 1 → 3mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SSMini3 F3 B 3 - - 1.6 x 0.85 x 0.7mm
Código RS 773-7816
Nº ref. fabric.MMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,309 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 864-7846
Nº ref. fabric.MMBF4393LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,265 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 5 → 30mA 30 V +30 V 30V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 3 14 pF @ 0 V 14 pF @ -15 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 163-0963
Nº ref. fabric.MMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,108 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 112-4185
Nº ref. fabric.PMBF4393,215
FabricanteNXP
0,38 €
Unidad
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 864-7840
Nº ref. fabric.MMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,298 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple Ω125 Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 166-3085
Nº ref. fabric.MMBF5103
FabricanteON Semiconductor
0,072 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 10 → 40mA 20 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 626-3308
Nº ref. fabric.PMBFJ308,215
FabricanteNXP
0,095 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 60mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 124-2284
Nº ref. fabric.BF861C,215
FabricanteNXP
0,284 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 25mA 25 V -25 V, +25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 626-2327
Nº ref. fabric.BF545A,215
FabricanteNXP
0,72 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 2.0 → 6.5mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 163-0037
Nº ref. fabric.MMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,108 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple 125 Ω Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 103-7584
Nº ref. fabric.BF545A,215
FabricanteNXP
0,31 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 2.0 → 6.5mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-0548
Nº ref. fabric.PMBFJ308,215
FabricanteNXP
0,086 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 60mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm