JFET

"JFET
Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.
¿Qué significa JFET?
JFET significa transistor de efecto de campo de unión
Construcción de JFET de canal N
El nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Construcción de JFET de canal P
El nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Características y ventajas
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo controlado por tensión
• Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida
• Menos ruido
¿Cómo se conocen también?
JUGFET
¿Para qué se utilizan los transistores JFET?
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.
¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)?
La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
¿Qué es el dopaje de semiconductores?
El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descripción Precio Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 806-4282
Nº ref. fabric.MMBF5103
FabricanteON Semiconductor
0,235 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 10 → 40mA 20 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 112-4185
Nº ref. fabric.PMBF4393,215
FabricanteNXP
0,38 €
Unidad
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 103-5701
Nº ref. fabric.BFR31,215
FabricanteNXP
0,17 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 1 → 5mA 25 V -25 V -25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 112-5510
Nº ref. fabric.PMBFJ177,215
FabricanteNXP
0,41 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
unidades
P 1.5 → 20mA 30 V +30 V 30V Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 163-0037
Nº ref. fabric.MMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,108 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple 125 Ω Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 773-7816
Nº ref. fabric.MMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,309 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 864-7840
Nº ref. fabric.MMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,298 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple Ω125 Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 103-8162
Nº ref. fabric.PMBFJ177,215
FabricanteNXP
0,104 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P 1.5 → 20mA 30 V +30 V 30V Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 806-4260
Nº ref. fabric.MMBF4118
FabricanteON Semiconductor
0,138 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 0.08 → 0.24mA 10 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 626-2327
Nº ref. fabric.BF545A,215
FabricanteNXP
0,72 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 2.0 → 6.5mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-0548
Nº ref. fabric.PMBFJ308,215
FabricanteNXP
0,086 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 60mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 103-8160
Nº ref. fabric.PMBF4393,215
FabricanteNXP
0,15 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-3095
Nº ref. fabric.MMBFJ310
FabricanteON Semiconductor
0,078 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 24 → 60mA 10 V -25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 2.5pF 5pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 806-4279
Nº ref. fabric.MMBF4416
FabricanteON Semiconductor
0,118 €
unitario (Suministrado en Tiras de 100)
unidades
N 5 → 15mA 15 V -30 V 30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 163-2024
Nº ref. fabric.2SK932-23-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,118 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 10 → 17mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 749-8268
Nº ref. fabric.DSK5J01R0L
FabricantePanasonic
0,36 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
unidades
N 5 → 12mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 146-2128
Nº ref. fabric.MMBF4416
FabricanteON Semiconductor
0,069 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 5 → 15mA 15 V -30 V 30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 169-7870
Nº ref. fabric.DSK9J01Q0L
FabricantePanasonic
0,17 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 2 → 6.5mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SSMini3 F3 B 3 - - 1.6 x 0.85 x 0.7mm
Código RS 166-0535
Nº ref. fabric.BF510,215
FabricanteNXP
0,27 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 0.7 → 3.0mA 20 V - 20V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 163-2025
Nº ref. fabric.2SK932-24-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,127 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 14.5 → 24mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm