JFET

"JFET
Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.
¿Qué significa JFET?
JFET significa transistor de efecto de campo de unión
Construcción de JFET de canal N
El nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Construcción de JFET de canal P
El nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Características y ventajas
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo controlado por tensión
• Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida
• Menos ruido
¿Cómo se conocen también?
JUGFET
¿Para qué se utilizan los transistores JFET?
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.
¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)?
La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
¿Qué es el dopaje de semiconductores?
El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

...
Read more Read less

Filtros

Visualización 61 - 80 de 152 productos
Resultados por página
Descripción Precio Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 773-7816
Nº ref. fabric.MMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,309 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 484-2498
Nº ref. fabric.BFR31,215
FabricanteNXP
0,40 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 1 → 5mA 25 V -25 V -25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 163-0963
Nº ref. fabric.MMBFJ177LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,148 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P 1.5 → 20mA - - 25V dc Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - 11pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 103-8160
Nº ref. fabric.PMBF4393,215
FabricanteNXP
0,15 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 103-7584
Nº ref. fabric.BF545A,215
FabricanteNXP
0,31 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 2.0 → 6.5mA 30 V -30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 806-4282
Nº ref. fabric.MMBF5103
FabricanteON Semiconductor
0,142 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 10 → 40mA 20 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 103-8162
Nº ref. fabric.PMBFJ177,215
FabricanteNXP
0,10 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P 1.5 → 20mA 30 V +30 V 30V Único Simple 300 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 626-2412
Nº ref. fabric.BF861C,215
FabricanteNXP
0,56 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 25mA 25 V +25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 103-5701
Nº ref. fabric.BFR31,215
FabricanteNXP
0,17 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 1 → 5mA 25 V -25 V -25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 145-4162
Nº ref. fabric.2SK3666-3-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,066 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V Único Simple 200 Ω Montaje superficial CP 3 4pF 1.1pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-0548
Nº ref. fabric.PMBFJ308,215
FabricanteNXP
0,086 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 60mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 145-4270
Nº ref. fabric.MMBF4393LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,087 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 5 → 30mA 30 V +30 V 30V Único Simple 100 Ω Montaje superficial SOT-23 3 14 pF @ 0 V 14 pF @ -15 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 166-3110
Nº ref. fabric.MMBF5486
FabricanteON Semiconductor
0,054 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 8 → 20mA 15 V -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 864-7840
Nº ref. fabric.MMBFJ175LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,298 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
P -7 → -60mA 15 V - -25V Único Simple Ω125 Montaje superficial SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 146-2128
Nº ref. fabric.MMBF4416
FabricanteON Semiconductor
0,057 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 5 → 15mA 15 V -30 V 30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 626-2311
Nº ref. fabric.BF513,215
FabricanteNXP
0,64 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 10 → 18mA 20 V - 20V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-2993
Nº ref. fabric.MMBF5485
FabricanteON Semiconductor
0,058 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 4 → 10mA - - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 146-2129
Nº ref. fabric.MMBFJ309
FabricanteON Semiconductor
0,109 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 30mA 10 V -25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 2.5pF 5pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-3095
Nº ref. fabric.MMBFJ310
FabricanteON Semiconductor
0,106 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 24 → 60mA 10 V -25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 2.5pF 5pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 146-2080
Nº ref. fabric.MMBF5459
FabricanteON Semiconductor
0,056 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 4 → 16mA - -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 3pF 7pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm