Diodo, MBR2H100SFT3G, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, SOD-123FL, 2-Pines 840mV

Código RS:: 163-0932
Nº ref. fabric.:: MBR2H100SFT3G
Fabricante:: onsemi

Diodo, MBR2H100SFT3G, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, SOD-123FL, 2-Pines 840mV

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 10000)

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Unidades	Por unidad	Por Carrete*
10000 +	0,11 €	1.100,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 163-0932
Nº ref. fabric.:: MBR2H100SFT3G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor

Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.

• Sin Plomo
• Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
• Protección Contra Tensión
• Caja Moldeada De Epoxi
• paquete ligero de 11,7 mg

Estándares

Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Tipo de Encapsulado	SOD-123FL
Corriente Continua Máxima Directa	2A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico	100V
Configuración de diodo	Simple
Tipo de Rectificador	Rectificador Schottky
Tipo de Diodo	Schottky
Conteo de Pines	2
Caída de tensión directa máxima	840mV
Número de Elementos por Chip	1
Tecnología de diodo	Barrera Schottky
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico	50A