Diodo, STPSC8065D, 8A, 650V Schottky SiC, TO-220AC, 2-Pines 1.65V, Schottky SiC

El diodo SiC es un diodo Schottky de potencia de rendimiento ultra-alto. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky con un valor nominal de 650 V. Gracias a la construcción Schottky, no se aprecia recuperación al apagarlo y los patrones de oscilación transitoria son insignificantes. El comportamiento del apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura. Especialmente adecuado para usar en aplicaciones de PFC, este diodo SiC de ST impulsa el rendimiento en condiciones de conmutación difíciles. Su alta capacidad de transitorios directos garantiza buena solidez durante las fases de transitorios

Sin recuperación inversa o insignificante
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Dedicado a aplicaciones PFC
Alta capacidad de transitorios directos
Funcionamiento Tj de -40 °C a 175 °C