Diodo, VS-VSKCS209/150, Rectificador de recuperación, 200A, 150V, TO-240AA, 3-Pines

Los módulos de alta eficiencia IGBT de Vishay se suministran con una selección de tecnologías de PT, NPT y Trench IGBT. La gama incluye interruptores sencillos, inversores, choppers, medios puentes o configuraciones personalizadas. Estos módulos IGBT están diseñados para utilizarse como un dispositivo principal de conmutación en fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación ininterrumpidas, soldadura industrial, controladores de motores y sistemas de corrección de factor de potencia.

Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores de reducción y elevación, convertidores directos y directos dobles, medios puentes, puentes completos (puente H) y puentes trifásicos.

Amplia gama de tipos de encapsulados estándar del sector
Montaje directo sobre disipador de calor
Selección de tecnologías PT, NPT y Trench IGBT
IGBT de VCE(on) bajo
Frecuencia de conmutación de 1 kHz a 150 kHz
Rendimiento resistente de transitorios
Alta tensión de aislamiento hasta 3500 V
100% sin plomo (Pb) y en conformidad con RoHS
Resistencia térmica baja
Rango de temperaturas de funcionamiento amplio (-40 °C a +175 °C)

El cátodo común de rectificador Schottky Vishay VS-VSKCS209 se ha optimizado para bajo nivel de fuga inversa a alta temperatura. La tecnología de barrera patentada permite un funcionamiento fiable con una temperatura de unión de hasta 175 °C. Las aplicaciones típicas son fuentes de alimentación de conmutación de alta corriente, fuentes de alimentación chapadas, sistemas SAI, convertidores, diodos de libre circulación, protección contra soldadura e inversión de la batería.

Caída de tensión directa baja
Funcionamiento de alta frecuencia
Resistencia térmica baja

Módulos IGBT, Vishay

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.