Diodo, FFSD08120A, 22.5A, 1200V Schottky SiC, TO-252, 3-Pines, Schottky SiC

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad que el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, características de conmutación independiente de temperatura y excelentes conjuntos de rendimiento térmico, el carburo de silicio es la próxima generación de semiconductores de potencia. Las ventajas para el sistema incluyen mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y menor tamaño y costes del sistema.

Temperatura de conexión máx. 175 °C
Capacidad de corriente de transitorios alta
Coeficiente de temperatura positivo
Fácil conexión en paralelo
Sin recuperación inversa / sin recuperación directa
Aplicaciones
PFC
Potencia industrial
Cargador
Cargador EV
SAI
Soldadura