AEC-Q101 Diodo, SBAT54CLT1G, Rectificador Schottky, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines -0.35V
- Código RS:
- 184-1089
- Nº ref. fabric.:
- SBAT54CLT1G
- Fabricante:
- onsemi
9000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,03 €
(exc. IVA)
0,04 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
3000 + | 0,03 € | 90,00 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 184-1089
- Nº ref. fabric.:
- SBAT54CLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
The Common Cathode Schottky Diode is designed for high speed switching applications, circuit protection and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Extremely Fast Switching Speed
Low Forward Voltage - 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc
Pb-Free Package is Available
Applications:
Portable Devices
Low Forward Voltage - 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc
Pb-Free Package is Available
Applications:
Portable Devices
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
Corriente Continua Máxima Directa | 200mA |
Tensión Repetitiva Inversa de Pico | 30V |
Configuración de diodo | 2 pares de cátodos comunes |
Tipo de Rectificador | Rectificador Schottky |
Tipo de Diodo | Schottky |
Conteo de Pines | 3 |
Caída de tensión directa máxima | -0.35V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Tecnología de diodo | Barrera Schottky |
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico | 5ns |
Enlaces relacionados
- AEC-Q101 Diodo235 30V Barrera Schottky SOT-23, 3-Pines 800mV
- Diodo 200mA 5ns 2-Pines
- Diodo 200mA 5ns 3-Pines
- Diodo215 30V Barrera Schottky SOT-143B, 4-Pines
- AEC-Q101 Diodo 200mA 5ns 3-Pines
- AEC-Q101 Diodo115 30V Barrera Schottky SC-70, 2 + Tab-Pines
- Diodo Rectificador Schottky 30V Barrera Schottky SOT-23, 3-Pines 400mV
- AEC-Q101 Diodo 200mA 5ns 2-Pines 450mV