Diodo, MBR160G, Rectificador Schottky, 1A, 60V Barrera Schottky, DO-41, 2-Pines

Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.

• Sin Plomo
• Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
• Protección Contra Tensión
• Caja Moldeada De Epoxi
• paquete ligero de 11,7 mg

Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The Schottky Rectifier¿s state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low voltage, high frequency inverters, free wheeling diodes and polarity protection diodes.

Low Reverse Current
Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
Low Power Loss/High Efficiency
Highly Stable Oxide Passivated Junction
Mechanical Characteristics:
Case: Epoxy, Molded
Weight: 0.4 gram (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable
Lead Surface Temperature for Soldering Purposes: 260 °C Max. for 10 Seconds
Shipped in plastic bags, 1000 per bag
Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
Marking: B150, B160
These are Pb-Free Devices