Diodo, FFSD0865B, 11.6A, 650V Schottky SiC, DPAK, 3-Pines, Schottky SiC

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad que el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, características de conmutación independiente de temperatura y excelentes conjuntos de rendimiento térmico, el carburo de silicio es la próxima generación de semiconductores de potencia. Las ventajas para el sistema incluyen mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y menor tamaño y costes del sistema.

IEU alto, corriente de transitorios y avalancha
Temperatura de conexión alta
Vf bajo
Sin Qrr
49mJ a 25C
TJ = 175C
1,41 V.
<100nC
Aplicaciones
PFC