- Código RS:
- 195-2624
- Nº ref. fabric.:
- FFSH5065B-F085
- Fabricante:
- onsemi
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
13,825 €
(exc. IVA)
16,728 €
(inc.IVA)
444 Disponible para entrega en 24/48 horas
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 8 | 13,825 € | 27,65 € |
10 - 18 | 11,82 € | 23,64 € |
20 + | 10,84 € | 21,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 195-2624
- Nº ref. fabric.:
- FFSH5065B-F085
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 50 A, 650 V, D2, TO-247-2L
Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad que el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, características de conmutación independiente de temperatura y excelentes conjuntos de rendimiento térmico, el carburo de silicio es la próxima generación de semiconductores de potencia. Las ventajas para el sistema incluyen mayor eficacia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducidas y menor tamaño y costes del sistema.
Temperatura De Conexión Máx. 175c
Capacidad de corriente de transitorios alta
Coeficiente de temperatura positivo
Fácil conexión en paralelo
Sin recuperación inversa / sin recuperación directa
Capacidad PPAP
Aplicaciones
Cargadores a bordo para vehículos HEV-EV
Convertidores dc-dc para vehículos HEV-EV
Capacidad de corriente de transitorios alta
Coeficiente de temperatura positivo
Fácil conexión en paralelo
Sin recuperación inversa / sin recuperación directa
Capacidad PPAP
Aplicaciones
Cargadores a bordo para vehículos HEV-EV
Convertidores dc-dc para vehículos HEV-EV
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Corriente Continua Máxima Directa | 50A |
Tensión Repetitiva Inversa de Pico | 650V |
Configuración de diodo | Simple |
Tipo de Rectificador | Diodo Schottky |
Tipo de Diodo | Schottky SiC |
Conteo de Pines | 2 |
Caída de tensión directa máxima | 2.4V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Tecnología de diodo | Schottky SiC |
Enlaces relacionados
- AEC-Q101 Diodo, FFSH5065B-F085OS, 50A, 650V Schottky SiC, TO-247,...
- AEC-Q101 Diodo, FFSP2065BDN-F085OS, 20A, 650V Schottky SiC,...
- AEC-Q101 Diodo, FFSH4065BDN-F085OS, 40A, 650V Schottky SiC,...
- AEC-Q101 Diodo, FFSP4065BDN-F085OS, 40A, 650V Schottky SiC,...
- Diodo, FFSB0865B-F085OS, 10.1A, 650V Schottky SiC, D2PAK,...
- Diodo, FFSB0665B-F085OS, 8A, 650V Schottky SiC, D2PAK, 2+Tab-Pines...
- Diodo, C3D20065D, 59A, 650V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 2.4V,...
- Diodo, C3D10065E, 32A, 650V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 3-Pines...