Diodo, VS-C04ET07T-M3, 4A, 650V Schottky SiC, 2L A 220AC, 3-Pines, Schottky SiC

Diodo Schottky PIN combinado Vishay 650 V Power SiC con corriente directa de 4A.

Diodo portador mayoritario con tecnología Schottky en banda ancha SiC material de separación
Coeficiente de temperatura de VF positivo para facilitar la conexión en paralelo
Prácticamente sin cola de recuperación y sin pérdidas de conmutación
Comportamiento de conmutación invariable de temperatura
Temperatura de funcionamiento máxima de conexión de 175 °C
Estructura MPS para alta resistencia a eventos de transitorios de corriente de avance