Diodo, STPSC10H12B2-TR, 10A, 1200V, DPAK HV 2L, 3-Pines

STMicroelectronics 10A, 1200V SiC es un diodo Schottky de potencia de rendimiento ultra-alto. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky con un valor nominal de 1.200 V. Gracias a la construcción Schottky, no se aprecia recuperación al apagarlo y los patrones de oscilación transitoria son insignificantes. El comportamiento del apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura.

Sin recuperación inversa o insignificante
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Periferia de alta tensión sólida
Funcionamiento Tj de -40 °C a 175 °C
Nivel de VF bajo
Distancia entre contactos DPAK HV (ánodo a cátodo) = 3 mm mín
. Conforme con ECOPACK2