Diodo, FFSM1065B, 10A, 650V Schottky SiC, 2P, PQFN 8X8, 5-Pines, Schottky SiC

Código RS:: 214-8797
Nº ref. fabric.:: FFSM1065B
Fabricante:: onsemi

Diodo, FFSM1065B, 10A, 650V Schottky SiC, 2P, PQFN 8X8, 5-Pines, Schottky SiC

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

1,438 €

(exc. IVA)

1,74 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	1,438 €	4.314,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 214-8797
Nº ref. fabric.:: FFSM1065B
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet - FFSM1065B

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, Power88

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D2, Power88

on Semiconductor serie FFSM son diodos schottky de carburo de silicio que utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Se utiliza normalmente en inversores, SMPS y SAI, etc.

Más alta eficacia
Frecuencia de funcionamiento más faster
Mayor densidad de potencia
EMI reducidas

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Tipo de Encapsulado	2P, PQFN 8X8
Corriente Continua Máxima Directa	10A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico	650V
Configuración de diodo	Par de ánodo común + Par de cátodo común
Tipo de Rectificador	Diodo Schottky
Tipo de Diodo	Schottky SiC
Conteo de Pines	5
Número de Elementos por Chip	1
Tecnología de diodo	Schottky SiC