Diodo, IDH12G65C5XKSA2, 12A, 650V Schottky SiC, PG-TO220, 2-Pines, Schottky SiC

Código RS:: 216-8385
Nº ref. fabric.:: IDH12G65C5XKSA2
Fabricante:: Infineon

Diodo, IDH12G65C5XKSA2, 12A, 650V Schottky SiC, PG-TO220, 2-Pines, Schottky SiC

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 50)

2,958 €

(exc. IVA)

3,579 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	2,958 €	147,90 €
100 - 200	2,396 €	119,80 €
250 +	2,248 €	112,40 €

*precio indicativo

Código RS:: 216-8385
Nº ref. fabric.:: IDH12G65C5XKSA2
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IDH12G65C5XKSA2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Infineon CoolSiC generation 6 ofrece una nueva tecnología de vanguardia para el diodo de barrera schottky con corriente nominal de 12 A. Esta última generación es adecuada para usar en telecomunicaciones SMPS y servidores de gama alta, sistemas SAI, controladores de motor, inversores solares, así como aplicaciones de iluminación y caja de plata de PC.

La mejor figura de mérito de su clase
Sin carga de recuperación inversa
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta resistencia a dv/dt
Comportamiento térmico optimizado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado	PG-TO220
Corriente Continua Máxima Directa	12A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico	650V
Configuración de diodo	Simple
Tipo de Rectificador	Diodo Schottky
Tipo de Diodo	Schottky SiC
Conteo de Pines	2
Número de Elementos por Chip	1
Tecnología de diodo	Schottky SiC

Diodo, IDH12G65C5XKSA2, 12A, 650V Schottky SiC, PG-TO220, 2-Pines, Schottky SiC

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