Diodo, IDW10G120C5BFKSA1, 10A, 1200V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines, Schottky SiC

Infineon CoolSiC™ Schottky de generación de diodo de 5 1.200 V, 10 A en un encapsulado TO-247-3 presenta una tecnología de vanguardia para diodos de barrera Schottky SiC. La tecnología de oblea fina, ya introducida con G2, se combina ahora con una nueva unión de pn combinada que mejora las capacidades de corriente de transitorios de diodo. El resultado es una serie de productos que ofrecen una eficiencia líder del mercado y mayor fiabilidad del sistema a un atractivo punto de coste.

La mejor tensión directa (VF) de su clase
Sin carga de recuperación inversa
Dependencia de la temperatura positiva leve de la FV
La mejor capacidad de corriente de transitorios de su clase
Excelente rendimiento térmico