Diodo, BAT2402LSE6327XTSA1, 110mA, 4V, TSSLP

El diodo Schottky RF Infineon es un dispositivo tipo N de barrera baja de silicio con un anillo de protección integrado en el chip para protección contra sobretensión. Su baja altura de barrera, pequeño diodo de tensión directa y baja capacitancia de unión convierten al BAT24 - 02LS en una elección adecuada para funciones de mezclador y detector en aplicaciones cuyas frecuencias son tan altas como 24 GHz.

Baja inductancia LS de 0,2 nH
Baja capacitancia C de 0,2 pF a 1 MHz
Encapsulado TSSLP-2-1 con huella 0201
Sin plomo (conforme a RoHS) y sin halógenos