Diodo, IDK04G65C5XTMA2, 4A, 650V, PG-TO263-2

La quinta generación thinQ! de Infineon El diodo Schottky SiC es un proceso de soldadura de difusión patentado, ya introducido con G3, ahora se combina con un nuevo diseño más compacto y tecnología de oblea fina. El resultado es una nueva familia de productos que muestran una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, lo que resulta tanto de las características térmicas mejoradas como de una cifra de mérito más baja. El nuevo thinQ!La generación TM 5 se ha diseñado para complementar nuestras familias CoolMOS de 650 V, lo que garantiza que cumpla los requisitos de aplicación más estrictos en este rango de tensión.

Material semiconductor revolucionario: carburo de silicio
Comportamiento de conmutación de referencia
Sin recuperación inversa/ Sin recuperación directa
Comportamiento de conmutación independiente de temperatura
Permite soluciones de mayor frecuencia / mayor densidad de potencia
Mayor fiabilidad del sistema gracias a temperaturas de funcionamiento más bajas
EMI reducida