Diodo, IDH05G120C5XKSA1, 5A, 1200V, PG-TO220-2-1

El diodo Schottky CoolSiC de Infineon presenta una tecnología de vanguardia para diodos de barrera Schottky SiC. La tecnología de oblea fina, ya introducida con G2, se combina ahora con una nueva unión de pn fusionada que mejora las capacidades de corriente de transitorios de diodo. El resultado es una serie de productos que proporcionan eficiencia líder en el mercado y mayor fiabilidad del sistema a un precio atractivo.

Mejor tensión directa (VF) de su clase
Sin carga de recuperación inversa
Dependencia de temperatura positiva leve de VF
Mejor capacidad de corriente de transitorios de su clase
Excelente rendimiento térmico