Infineon IDK12G65C5XTMA2

El diodo Schottky SiC de Infineon es un diodo de barrera de Schottky de carburo de silicio. El ThinQ Generation 5 representa la tecnología punta de Infineon para el diodo de barrera de Schottky de SiC. El proceso de soldadura por difusión propiedad de Infineon, ya introducido con G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y una tecnología de oblea delgada. El resultado es una nueva familia de productos que muestra una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, lo que resulta tanto de las características térmicas mejoradas como de una cifra de mérito más baja.

Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Capacidad de corriente de transitorios alta
Comportamiento de conmutación de referencia
Optimizado para funcionamiento a altas temperaturas
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura