Diodo, BAT54CWT1G, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-323 (SC-70), 3-Pines 800mV
- Código RS:
- 792-5524
- Nº ref. fabric.:
- BAT54CWT1G
- Fabricante:
- onsemi
900 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 100)
0,05 €
(exc. IVA)
0,06 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 100 - 900 | 0,05 € | 5,00 € |
| 1000 - 2400 | 0,046 € | 4,60 € |
| 2500 - 4900 | 0,043 € | 4,30 € |
| 5000 - 9900 | 0,04 € | 4,00 € |
| 10000 + | 0,036 € | 3,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 792-5524
- Nº ref. fabric.:
- BAT54CWT1G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
• Sin Plomo
• Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
• Protección Contra Tensión
• Caja Moldeada De Epoxi
• paquete ligero de 11,7 mg
• Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
• Protección Contra Tensión
• Caja Moldeada De Epoxi
• paquete ligero de 11,7 mg
Estándares
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOT-323 (SC-70) |
| Corriente Continua Máxima Directa | 200mA |
| Tensión Repetitiva Inversa de Pico | 30V |
| Configuración de diodo | Cátodo común |
| Tipo de Rectificador | Diodo Schottky |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Conteo de Pines | 3 |
| Caída de tensión directa máxima | 800mV |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Tecnología de diodo | Barrera Schottky |
| Tiempo de Recuperación Inverso de Pico | 5ns |
| Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico | 600mA |
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