Diodo, VS-1EFH02HM3/I, 1A, 200V Conexión de silicio, 25ns, DO-219AB, 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación
- Código RS:
- 872-2862
- Nº ref. fabric.:
- VS-1EFH02HM3/I
- Fabricante:
- Vishay
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 100)
0,121 €
(exc. IVA)
0,146 €
(inc.IVA)
27900 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).*
* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Unidades | Por unidad | Por Pack** |
|---|---|---|
| 100 + | 0,121 € | 12,10 € |
**precio indicativo
- Código RS:
- 872-2862
- Nº ref. fabric.:
- VS-1EFH02HM3/I
- Fabricante:
- Vishay
Enlaces relacionados
- Diodo 1A 25ns 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación
- Diodo 2A 25ns 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación
- Diodo 1A 23ns 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación rápida
- Diodo 1A 23ns 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación
- Diodo 3A 30ns 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación
- Diodo 3A 30ns 2-Pines 930mV, Diodo epitaxial de recuperación
- Diodo 2A 22ns 2-Pines 950mV, Diodo epitaxial de recuperación rápida
- Diodo 2A 22ns 2-Pines 950mV, Diodo epitaxial de recuperación