Placa de evaluación Convertidor dc-dc Infineon EVAL_3K3W_BIDI_PSFB - EVAL3K3WBIDIPSFBTOBO1

Esta placa de evaluación presenta una solución de sistema completa muy eficiente de Infineon para un convertidor dc-dc bidireccional de 3.300 W destinado a aplicaciones de telecomunicaciones, alimentación de formación de baterías y robótica industrial.
El MOSFET de superunión CFD7 CoolMOSTM de 600 V de Infineon en encapsulado ThinPAK es el dispositivo de diodo de cuerpo rápido más reciente y de mejor rendimiento. Combinado con un paquete de bajo parásito y un diseño optimizado, consigue un gran rendimiento con un mínimo de estrés. El innovador concepto de refrigeración presentado en esta placa permite su notable rendimiento.
Esta placa alcanza un 98 % de eficiencia en modo de reducción y un 97 % en modo de aumento. La densidad de potencia alcanzada está en el rango de 4,34 W/cm3 (71,19 W/pulg3), lo que es posible gracias al uso de encapsulados SMD y la innovadora construcción magnética apilada.

Cuando se combina con las últimas tecnologías de Infineon, este convertidor dc-dc demuestra la viabilidad y alta eficiencia de los diseños PSFB al nivel de topologías completamente resonantes.
El EVAL_3K3W_BIDI_PSFB muestra también que la topología PSFB se puede utilizar como una etapa dc-dc bidireccional sin cambios en el diseño estándar o la construcción de una topología tradicional y bien conocida. Esto se consigue gracias a las innovaciones en técnicas de control alimentadas por control digital y microcontroladores XMCTM.

•PSFB de alta eficiencia
•PSFB de alta densidad de potencia
•PSFB bidireccional
•PSFB controlado digitalmente
•Novedoso concepto de magnética integrada
•Nuevo concepto de refrigeración SMD

•La mejor y más reciente tecnología de diodo de cuerpo rápido HV de Infineon
•Mejor y última tecnología de rectificadores síncronos LV de Infineon
•Capacidad bidireccional de PSFB (patentado)
•Novedoso concepto de magnética integrada
•Nuevo concepto de refrigeración SMD

•MOSFET de superconexión CFD7 CoolMOSTM de 600 V (IPL60R075CFD7) 222-4912
•Diodo Schottky CoolSiCTM de 650 V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
•MOSFET de superconexión CoolMOSTM de 800 V (IPU80R4K5P7) 222-4717
•MOSFET de potencia OptiMOSTM 5 de 150 V en encapsulado Super SO-8 (BSC093N15NS5) 214-4325
•IC de controlador de puerta aislado EiceDRIVERTM 2EDS (2EDS8265H) 258-0627
•CI de controlador de puerta aislado EiceDRIVERTM 2EDF (2EDF7275F) 244-0940
•Microcontrolador XMC4200 para implementación de control (XMC4200-F64k256BA) 258-1749
•Controlador PWM cuasi-resonante de retorno (ICE5QSAG)
•Diodo Schottky AF de potencia media (BAT165) 249-6997
•Regulador de tensión de bajada dc-dc (IFX91041EJV33)