- Código RS:
- 273-2062
- Nº ref. fabric.:
- EB2ED24103MTOBO1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 19/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
73,43 €
(exc. IVA)
88,85 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
1 - 1 | 73,43 € |
2 - 4 | 71,49 € |
5 - 9 | 69,66 € |
10 + | 67,92 € |
- Código RS:
- 273-2062
- Nº ref. fabric.:
- EB2ED24103MTOBO1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
273-2062
Esta placa base de evaluación contiene el controlador de puerta MOSFET 2ED2410-EM listo para ISO26262 con protección de cable I-t ajustable para distribución de potencia de automoción con protección de cable I-t ajustable. Esta placa es adecuada para redes de placa de 12 V y 24 V y contiene el regulador de caída de tensión baja OPTIREGTM TLE4296GV50 para proporcionar la tensión de alimentación digital de 5 V en esta placa. Con la ayuda de un botón pulsador, se puede restablecer el controlador de puerta, por ejemplo, de un modo de \"Safestate\" a un modo \"Inactivo\" o \"On\". Esta placa se puede utilizar con diferentes placas auxiliares, que tienen diferentes arreglos de MOSFET de potencia OptiMOSTM5 con y sin una ruta de precarga dedicada diseñada para un canal de carga:
EB 2ED2410 3D 1BCS: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - fuente común, shunt de 0,5 mOhm
EB 2ED2410 3D 1BCD: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - drenaje común, shunt de 0,5 mOhm
EB 2ED2410 3D 1BCSP: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - fuente común, derivación de 0,5 mOhm, con precarga
EB 2ED2410 3D 1BCDP: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - drenaje común, shunt de 0,5 mOhm, con precarga
EB 2ED2410 3D 1BCD: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - drenaje común, shunt de 0,5 mOhm
EB 2ED2410 3D 1BCSP: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - fuente común, derivación de 0,5 mOhm, con precarga
EB 2ED2410 3D 1BCDP: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - drenaje común, shunt de 0,5 mOhm, con precarga
Resumen de las características
Adecuado para redes de placa de 12 y 24 V
Combinación con diferentes MOSFET y placas auxiliares de shunt
Compatibilidad con placas auxiliares con ruta de precarga dedicada
Protección contra sobrecorriente con umbrales ajustables
Protección de cable I-t ajustable
LED de indicador
Posibilidad de restablecer
Combinación con diferentes MOSFET y placas auxiliares de shunt
Compatibilidad con placas auxiliares con ruta de precarga dedicada
Protección contra sobrecorriente con umbrales ajustables
Protección de cable I-t ajustable
LED de indicador
Posibilidad de restablecer
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Función de administración de energía | Driver de puerta MOSFET |
Para Usar Con | Protección de cable ajustable |
Clasificación del kit | Placa de evaluación |
Dispositivo mostrado | Gate Driver, Power MOSFET |
Nombre del kit | EB 2ED2410 3M |
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