Placa de evaluación IGBT, Driver MOSFET Infineon EVAL-1ED3142MU12F-SIC - EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1

El EVAL-1ED3142MU12F-SIC tiene una configuración de medio puente con dos IC de controlador de puerta (1ED3142MU12F) para accionar interruptores de potencia como IGBT, MOSFET y MOSFET SiC.

Esta placa se suministra pre-populada con dos MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un IC de controlador de puerta adicional se utiliza para la señal de retroalimentación de sobrecorriente aislada desde el lado de alta tensión al lado de control lógico, el amplificador operativo rápido se utiliza como comparador para la detección de sobrecorriente. Es el más adecuado para pruebas de impulso doble.

1ED3142MU12F pertenece a la familia EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (familia compacta X3). 1ED3142MU12F ofrece salida de fuente y disipador independiente, temporización precisa y estable, apagado activo para garantizar un estado de desconexión seguro del transistor de potencia en caso de que el chip de salida no esté conectado a la alimentación, sujeción de cortocircuito para limitar la tensión de puerta durante el cortocircuito. El controlador puede funcionar en un amplio rango de tensión de alimentación, unipolar o bipolar.

•Familia de controladores de puerta aislados de un canal compacto EiceDRIVERTM 1ED31xx (familia compacta X3)

•Para usar con IGBT de 650 V/1.200 V/1.700 V/2.300 V/, Si y SiC MOSFET

•Capacidad de tensión de desplazamiento funcional de 2.300 V para aplicaciones seleccionadas

•Controlador de puerta de transformador sin núcleo aislado galvánicamente

•Corriente de salida de pico de fuente y hundimiento típica de 6,5 A

•Tensión de alimentación de salida máxima absoluta de 35 V

•Retardo de propagación de 45 ns con filtro de entrada de 20 ns

•CMTI de alta inmunidad a transitorios de modo común >300 kV/μs

•Salidas de fuente y disipador independientes

•Abrazadera de cortocircuito y apagado activo

•Encapsulado estrecho DSO-8 de 150 mil

•Los filtros integrados reducen la necesidad de filtros externos

•Correspondencia de retardo de propagación de IC a IC estrecha (7 ns máx.), la tolerancia mejora la robustez de la aplicación sin variaciones debido al envejecimiento, la corriente y la temperatura

•Adecuado para el funcionamiento a alta temperatura ambiente y en aplicaciones de conmutación rápida

•UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) durante 1 s, 3,0 kV (rms) durante 1 min

•El retardo de propagación estrecho permite un tiempo de inactividad mínimo para mejorar la eficiencia del sistema y disminuir la distorsión armónica

•El umbral y los tiempos precisos, combinados con la certificación UL 1577, permiten una seguridad de aplicación superior

•Carga EV

•Control de motores y accionamientos

•Fotovoltaico

•Fuentes de alimentación de servidor

•Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS)