Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N01HVBINA 1 Gb, 128M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Código RS:
188-2772
Nº ref. fabric.:
W29N01HVBINA
Fabricante:
Winbond
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Marca

Winbond

Tamaño de la memoria

1Gb

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

VFBGA

Número de pines

63

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

NAND SLC

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.6mm

Longitud

11.1mm

Corriente de suministro

35mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25μs

Estándar de automoción

No

Serie

W29N01HVBINA

Número de palabras

128M

Número de bits por palabra

8

Density : 1Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 1G-bit/128M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Copy Back

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V),

Program/Erase: 25mA(typ.3V),

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

48-ball VFBGA

63-ball VFBGA

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

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