Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo 1 GB, 128M x 8 Bit, 25 μs, TSOP, 48 pines
- Código RS:
- 188-2817P
- Nº ref. fabric.:
- W29N01HVSINA
- Fabricante:
- Winbond
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 188-2817P
- Nº ref. fabric.:
- W29N01HVSINA
- Fabricante:
- Winbond
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | |
| Tamaño de la memoria | 1GB | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Número de pines | 48 | |
| Organización | 128M x 8 Bit | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | NAND SLC | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 12 mm | |
| Longitud | 12.1mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Serie | W29N01HV | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 25μs | |
| Número de palabras | 128M | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de suministro | 35mA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Winbond | ||
Tamaño de la memoria 1GB | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado TSOP | ||
Número de pines 48 | ||
Organización 128M x 8 Bit | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula NAND SLC | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 12 mm | ||
Longitud 12.1mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Serie W29N01HV | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 25μs | ||
Número de palabras 128M | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de suministro 35mA | ||
- COO (País de Origen):
- TW
1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.
Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)