Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S25FL128LAGNFV010 128 MB, WSON, 8

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bandeja de 490 unidades)*

1.147,58 €

(exc. IVA)

1.388,66 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 11 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Bandeja*
490 - 4902,342 €1.147,58 €
980 +2,23 €1.092,70 €

*precio indicativo

Código RS:
273-7484
Nº ref. fabric.:
S25FL128LAGNFV010
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

128MB

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

SPI

Encapsulado

WSON

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

133MHZ

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tipo de temporización

DDR

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3

Corriente de suministro

40mA

La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones móviles o integradas. Proporciona una solución de almacenamiento ideal para sistemas con espacio limitado, conexiones de señal y alimentación. Estas memorias ofrecen flexibilidad y rendimiento mucho más allá de los dispositivos flash serie ordinarios. Son ideales para sombrear código a RAM, ejecutar código directamente y almacenar datos reprogramables.

Opción de velocidad de datos doble

Opción de interfaz de periférico cuádruple

Mínimo de 20 años de retención de datos

Parámetros de detección de flash serie

Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas

Polaridad de reloj y modos de fase 0 y 3

Enlaces relacionados