SRAM ISSI, 8 MB, 512k x 16 Bit, TSOP-44 pines
- Código RS:
- 170-2193
- Nº ref. fabric.:
- IS62WV51216BLL-55TLI
- Fabricante:
- ISSI
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- 170-2193
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- Fabricante:
- ISSI
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ISSI | |
| Tamaño de la memoria | 8MB | |
| Tipo de producto | SRAM | |
| Organización | 512k x 16 Bit | |
| Número de palabras | 512K | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 55ns | |
| Número de líneas de bus | 19bit | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.5V | |
| Tipo de temporización | Asíncrono | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 44 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Serie | IS62WV51216BLL | |
| Anchura | 10.29 mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 18.52mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de suministro | 5mA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ISSI | ||
Tamaño de la memoria 8MB | ||
Tipo de producto SRAM | ||
Organización 512k x 16 Bit | ||
Número de palabras 512K | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 55ns | ||
Número de líneas de bus 19bit | ||
Tensión de alimentación mínima 2.5V | ||
Tipo de temporización Asíncrono | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 44 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Serie IS62WV51216BLL | ||
Anchura 10.29 mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 18.52mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de suministro 5mA | ||
- COO (País de Origen):
- TW
RAM estática, ISSI
Los productos ISSI Static RAM emplean tecnología CMOS de alto rendimiento. Una amplia gama de RAM estáticas que incluyen la SRAM asíncrona de alta velocidad de 5 V, SRAM asíncrona de baja potencia y alta velocidad, SRAM asíncrona de baja potencia de 5 V, RAM estática CMOS de ultra baja potencia y SRAM asíncrona de baja potencia PowerSaverTM. Los dispositivos ISSI SRAM vienen en una variedad de tensiones, tamaños de memoria y organizaciones diferentes. Son adecuados en aplicaciones como memoria caché de CPU, procesadores integrados, disco duro e interruptores de dispositivos electrónicos industriales.
Fuente de alimentación: 1,8 V/3,3 V/5 V
Encapsulados disponibles: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Opción de configuración disponible: x8 y x16
Función ECC disponible para SRAM asíncrona de alta velocidad
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
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