SRAM Microchip, 64kbit, 8k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-8-8, VCC máx. 3,6 V
- Código RS:
- 215-5866
- Nº ref. fabric.:
- 47L64-I/SN
- Fabricante:
- Microchip
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,849 €
(exc. IVA)
1,027 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 - 10 | 0,849 € | 8,49 € |
| 20 - 40 | 0,833 € | 8,33 € |
| 50 - 70 | 0,831 € | 8,31 € |
| 80 + | 0,814 € | 8,14 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 215-5866
- Nº ref. fabric.:
- 47L64-I/SN
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Microchip EERAM es una SRAM que no pierde su contenido en una interrupción de alimentación. Dentro de cada celda de memoria, transparente para el usuario, hay transistores no volátiles que capturan el contenido de SRAM y lo retienen a través de eventos de pérdida de potencia. Al restaurar la alimentación, la SRAM se vuelve a cargar con su último contenido y el funcionamiento de la SRAM puede continuar.
SRAM serie de 8.192 x 8 bits con datos no volátiles internos copia de seguridad
Interfaz I2C: Hasta 3MHz con entradas de disparador Schmitt para supresión de ruido
Tecnología CMOS de baja potencia: Corriente activa: 5 mA (máximo)
Interfaz I2C: Hasta 3MHz con entradas de disparador Schmitt para supresión de ruido
Tecnología CMOS de baja potencia: Corriente activa: 5 mA (máximo)
Corriente en espera: 500 μA (máximo)
Corriente de hibernación: 3 μA (máximo)
La copia de seguridad no volátil basada en celdas duplica la célula por celda de la matriz SRAM y transfiere todo Datos hacia/desde celdas SRAM en paralelo (todas las celdas al mismo tiempo)
Transferencias de datos invisibles a usuario: Nivel VCC controlado dentro del dispositivo, SRAM guardada automáticamente en interrupción de alimentación, SRAM restaurada automáticamente en retorno VCC
100.000 copias de seguridad mínimo (a 20 °C)
100 años de retención (a 20 °C)
La copia de seguridad no volátil basada en celdas duplica la célula por celda de la matriz SRAM y transfiere todo Datos hacia/desde celdas SRAM en paralelo (todas las celdas al mismo tiempo)
Transferencias de datos invisibles a usuario: Nivel VCC controlado dentro del dispositivo, SRAM guardada automáticamente en interrupción de alimentación, SRAM restaurada automáticamente en retorno VCC
100.000 copias de seguridad mínimo (a 20 °C)
100 años de retención (a 20 °C)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 64kbit |
| Organización | 8k x 8 bits |
| Número de Palabras | 8k |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 550ns |
| Frecuencia de Reloj | 1MHZ |
| Baja Potencia | Sí |
| Tipo de Temporizador | Síncrono |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC-8 |
| Conteo de Pines | 8 |
| Dimensiones | 4.9 x 3.9 x 1.5mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Altura | 1.5mm |
| Ancho | 3.9mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Longitud | 4.9mm |
Enlaces relacionados
- SRAM Alliance Memory 8k x 8 bits VCC máx. 5,5 V
- Memoria SRAM Microchip 8k x 8 bits SOIC-8-86 V
- SRAM STMicroelectronics 8K x 8 bits VCC máx. 5,5 V
- SRAM Renesas Electronics 8K x 8 VCC máx. 3,6 V
- Memoria SRAM Microchip 8192 x 8 bits SOIC-86 V
- SRAM Alliance Memory 8K x 8 VCC máx. 5,5 V
- SRAM Maxim Integrated 8k x 8 bits VCC máx. 5,25 V
- SRAM STMicroelectronics 8k x 8 bits PCDIP-285 V