Memoria SRAM Renesas Electronics, 4Mbit, 256K x 16

El pwr central de RAM estática asíncrona de Renesas Electronics y el pinout general de RAM estática de alta velocidad de 4.194.304 bits organizados como 256K x 16. Está fabricado utilizando tecnología CMOS de alto rendimiento y alta fiabilidad. Esta tecnología de vanguardia, combinada con técnicas de diseño de circuito innovadoras, proporciona una solución rentable para necesidades de memoria de alta velocidad. Dispone de un contacto de activación de salida que funciona tan rápido como 5 ns, con tiempos de acceso a direcciones tan rápidos como 10 ns. Está envasado en un SOJ de plástico de 44 contactos de 400 mil y un encapsulado TSOP tipo II de 44 contactos de 400 mil y una matriz de rejilla de bolas de 48, encapsulado de 9 mm x 9 mm.

256K x 16 RAM estática CMOS de alta velocidad avanzada de potencia central JEDEC / salida de contactos GND para reducir el ruido. Selección de un chip más un contacto de activación de salida Entradas y salidas de datos bidireccionales directamente compatibles con LVTTL Bajo consumo de potencia a través de deselección de chip Pines de activación superiores e inferiores Fuente de alimentación única de 3,3 V Disponible en encapsulado SOJ de plástico de 44 pines, 400 mil y encapsulado TSOP tipo II de 44 pines, 400 mil y una matriz de rejilla de bolas de 48, encapsulado de 9 mm x 9 mm. Piezas verdes disponibles, consulte la información de pedido