SRAM Renesas Electronics, 16kB, 2K x 8

La SRAM CMOS de Renesas Electronics está organizada como 2K x 8. La SRAM ofrece un modo de espera de potencia reducida. La versión de baja potencia (LA) también ofrece una capacidad de retención de datos de reserva de batería donde el circuito normalmente consume solo 1 μW a 4 μW funcionando con una batería de 2 V. Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL. Se utilizan circuitos asíncronos completamente estáticos, que no requieren relojes ni actualización para el funcionamiento. Producto de grado militar disponible.

Bajo consumo de potencia
Funcionamiento de reserva de batería, tensión de retención de datos de 2 V
Fabricado con tecnología CMOS de alto rendimiento avanzada
El proceso CMOS elimina prácticamente las tasas de error suave de partículas alfa
Entrada y salida directamente compatibles con TTL
No requiere relojes ni actualización