SRAM Infineon, 16Mbit, 1 M x 16, 2 M x 8

La SRAM de Infineon es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 1 M de palabras por 16 bits o 2 M de palabras por 8 bits. Este dispositivo dispone de un diseño de circuito avanzado que proporciona una corriente activa ultrabaja. La corriente activa ultrabaja es ideal para proporcionar una mayor duración de la batería en aplicaciones portátiles como teléfonos celulares. El dispositivo también tiene una función de desconexión automática que reduce el consumo de potencia en un 99 por ciento cuando las direcciones no están bloqueadas.

Velocidad muy alta
Potencia activa ultrabaja
Potencia de espera ultrabaja
CMOS para una velocidad y potencia óptimas
Desconexión automática cuando se deselecciona