SRAM Infineon, 4 MB CY7C1041G-10ZSXI, TSOP II-44 pines
- Código RS:
- 273-7349
- Nº ref. fabric.:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bandeja de 135 unidades)*
599,40 €
(exc. IVA)
724,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 135 + | 4,44 € | 599,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7349
- Nº ref. fabric.:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 4MB | |
| Tipo de producto | SRAM | |
| Número de palabras | 256K | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tensión de alimentación mínima | 0.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 0.5V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Encapsulado | TSOP II | |
| Número de pines | 44 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 18.51mm | |
| Altura | 10.26mm | |
| Anchura | 1.19mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | CY7C1041G | |
| Corriente de suministro | 45mA | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 4MB | ||
Tipo de producto SRAM | ||
Número de palabras 256K | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tensión de alimentación mínima 0.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 0.5V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Encapsulado TSOP II | ||
Número de pines 44 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 18.51mm | ||
Altura 10.26mm | ||
Anchura 1.19mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie CY7C1041G | ||
Corriente de suministro 45mA | ||
La RAM estática de Infineon es un dispositivo de RAM estática rápido con CMOS de alto rendimiento y ECC integrado. Este dispositivo de RAM estática se ofrece en la opción de activación de un solo chip y en configuraciones de varios contactos. Este dispositivo incluye un contacto ERR que indica un evento de detección y corrección de errores durante un ciclo de lectura. Las escrituras de datos se realizan sosteniendo las entradas de activación de chip y activación de escritura en nivel BAJO, al tiempo que proporcionan los datos en los contactos de E/S 0 a E/S 15 y la dirección en los contactos de A0 a A17. Las entradas de activación alta por byte y activación baja por byte controlan las operaciones de escritura a los bytes superiores e inferiores de la ubicación de memoria especificada.
Alta velocidad
Corrientes activas y de espera bajas
Detección y corrección de errores de 1 bit
Entradas y salidas compatibles con TTL
ECC integrado para corrección de errores de un solo bit