SRAM Infineon, 4Mbit, 256 K x 16

La RAM estática de Infineon es un dispositivo de RAM estática rápido con CMOS de alto rendimiento y ECC integrado. Este dispositivo de RAM estática se ofrece en la opción de activación de un solo chip y en configuraciones de varios contactos. Este dispositivo incluye un contacto ERR que indica un evento de detección y corrección de errores durante un ciclo de lectura. Las escrituras de datos se realizan afirmando que las entradas de activación de chip y activación de escritura son BAJAS, al tiempo que proporcionan los datos en los contactos de E/S 0 a I/S 15 y la dirección en los contactos de A0 a A17. Las entradas de activación alta por byte y activación baja por byte controlan las operaciones de escritura a los bytes superiores e inferiores de la ubicación de memoria especificada.

Alta velocidad
Corrientes activas y de espera bajas
Detección y corrección de errores de 1 bit
Entradas y salidas compatibles con TTL
ECC integrado para corrección de errores de un solo bit