Memoria SRAM Renesas Electronics, 64Mbit, 4M x 16 bits, FBGA-48, VCC máx. 3,6 V
- Código RS:
- 767-5963
- Nº ref. fabric.:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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Añadido
Precio Unidad
29,52 €
(exc. IVA)
35,72 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 + | 29,52 € |
- Código RS:
- 767-5963
- Nº ref. fabric.:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- JP
Datos del Producto
SRAM de baja potencia, serie R1WV, Renesas Electronics
La serie R1WV de RAM estáticas avanzadas de baja tensión son aptas para aplicaciones de memoria en las que los objetivos de diseño importantes sean una interfaz sencilla, el funcionamiento de la batería y la batería de reserva.
Fuente de alimentación única de 2,7 V o 3,6 V
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
Corriente pequeña en standby
No es necesario reloj ni actualizaciones
Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 64Mbit |
| Organización | 4M x 16 bits |
| Número de Palabras | 4M |
| Número de Bits de Palabra | 16bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 70ns |
| Baja Potencia | Sí |
| Tipo de Temporizador | Asíncrono |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | FBGA |
| Conteo de Pines | 48 |
| Dimensiones | 8.5 x 11 x 0.8mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Altura | 0.8mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Longitud | 8.5mm |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Ancho | 11mm |
- Código RS:
- 767-5963
- Nº ref. fabric.:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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