SRAM ISSI, 16 MB, 1M x 16 bits, TSOP-48 pines
- Código RS:
- 811-5175P
- Nº ref. fabric.:
- IS61WV102416BLL-10TLI
- Fabricante:
- ISSI
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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| 500 + | 17,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 811-5175P
- Nº ref. fabric.:
- IS61WV102416BLL-10TLI
- Fabricante:
- ISSI
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | SRAM | |
| Tamaño de la memoria | 16MB | |
| Número de palabras | 1M | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 10ns | |
| Número de líneas de bus | 20bit | |
| Tipo de temporización | Asíncrono | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.4V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de pines | 48 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 18.6mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | IS61WV102416BLL | |
| Corriente de suministro | 140mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto SRAM | ||
Tamaño de la memoria 16MB | ||
Número de palabras 1M | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 10ns | ||
Número de líneas de bus 20bit | ||
Tipo de temporización Asíncrono | ||
Tensión de alimentación mínima 2.4V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado TSOP | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de pines 48 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 18.6mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie IS61WV102416BLL | ||
Corriente de suministro 140mA | ||
Estándar de automoción No | ||
RAM estática, ISSI
Los productos ISSI Static RAM emplean tecnología CMOS de alto rendimiento. Una amplia gama de RAM estáticas que incluyen la SRAM asíncrona de alta velocidad de 5 V, SRAM asíncrona de baja potencia y alta velocidad, SRAM asíncrona de baja potencia de 5 V, RAM estática CMOS de ultra baja potencia y SRAM asíncrona de baja potencia PowerSaverTM. Los dispositivos ISSI SRAM vienen en una variedad de tensiones, tamaños de memoria y organizaciones diferentes. Son adecuados en aplicaciones como memoria caché de CPU, procesadores integrados, disco duro e interruptores de dispositivos electrónicos industriales.
Fuente de alimentación: 1,8 V/3,3 V/5 V
Encapsulados disponibles: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Opción de configuración disponible: x8 y x16
Función ECC disponible para SRAM asíncrona de alta velocidad