Transistor Darlington, MJD117T4G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

Código RS:: 688-1505
Nº ref. fabric.:: MJD117T4G
Fabricante:: onsemi

Transistor Darlington, MJD117T4G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

0,26 €

(exc. IVA)

0,31 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 +	0,26 €	0,52 €
*precio indicativo

Código RS:: 688-1505
Nº ref. fabric.:: MJD117T4G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Código RS:: 688-1505
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Atributo	Valor
Tipo de Transistor	PNP
Corriente Máxima Continua del Colector	4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	100 V
Tensión Máxima Emisor-Base	5 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Configuración de transistor	Simple
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia Mínima de Corriente DC	200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor	4 V
Tensión Base Máxima del Colector	100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector	0.02mA
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.22mm
Altura	2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Longitud	6.73mm
Dimensiones	6.73 x 6.22 x 2.38mm

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	PNP
Corriente Máxima Continua del Colector	4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	100 V
Tensión Máxima Emisor-Base	5 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Configuración de transistor	Simple
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia Mínima de Corriente DC	200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor	4 V
Tensión Base Máxima del Colector	100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector	0.02mA
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.22mm
Altura	2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C
Longitud	6.73mm
Dimensiones	6.73 x 6.22 x 2.38mm

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